國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

價(jià)格面議2025-02-27 16:07:07
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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces

集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat

集電極電流Ic,集電極截止電流Ices

柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

柵極電阻Rg

電容測(cè)量

I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

普賽斯國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):

單臺(tái)Z大3000V輸出;

單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;

10us的超快電流上升沿;

同步測(cè)量;

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試;

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