WESTCODE可控硅元器件N990CH14售后保障

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

WESTCODE可控硅元器件N990CH14售后保障

可控硅主要參數(shù)：電流
1、額定通態(tài)電流即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2、反向重復(fù)峰值電壓或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏；
3、控制極觸發(fā)電流，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安；
4、在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

晶閘管的種類：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶閘管通態(tài)電流上升率：元件通態(tài)電流上升率的臨界重復(fù)值。其對應(yīng)不重復(fù)測試值為重復(fù)值的以上，在使用過程中，必須保證元件導(dǎo)通期時候的電流上升率都不能超過其重復(fù)值；
晶閘管元件的選擇：
正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對保證整機設(shè)備的可靠性及降低設(shè)備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負載性質(zhì)等因素，在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟性。由于電力電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，具體應(yīng)用形式多種多樣。

晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路的條件下，允許重復(fù)加在陽—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復(fù)加在陽—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導(dǎo)通時管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時，元件能維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小陽電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導(dǎo)通所需的小控制電壓和電流。

晶閘管的使用注意事項：選用晶閘管的額定電壓時，應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量；
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值；
2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換；
3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況；
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱；
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置；
6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。