場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀二手儀器價(jià)格二極管測(cè)試儀

價(jià)格面議2023-06-17 12:03:37
  • 深圳市新耀德電子儀器有限公司
  • 磁性材料分析儀
  • 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,三極管測(cè)試儀,二手儀器設(shè)備,IGBT測(cè)試儀
  • 曾廣文
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介子分析儀 SY-8219 品牌 Agilent/安捷倫
工作溫度 常溫 顯示方式 數(shù)字式
晶體管 CS-3100 類型 多參數(shù)測(cè)試儀

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀二手儀器價(jià)格二極管測(cè)試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

顯示屏: 8.4″ TFT LCD SVGA 800×600像素彩色顯示屏

寬測(cè)量頻率

SY-8218: 正弦波10Hz – 10MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz

SY-8219: 正弦波10Hz – 1MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz

16倍高速采集數(shù)據(jù) (與巖崎前B-H分析儀型號(hào)比較)

采集數(shù)據(jù)在8,192點(diǎn)/周期執(zhí)行精確參數(shù)測(cè)量, 如Hc (強(qiáng)制力), Br (殘余通量密度) 和其他參數(shù)

脈沖勵(lì)磁功能

正弦波與脈沖(在占空比50:50和1MHz時(shí)) 勵(lì)磁均為標(biāo)準(zhǔn)功能

數(shù)模轉(zhuǎn)換器: 16位 (8,192點(diǎn)/周期)

磁通密度信號(hào)檢測(cè): 感應(yīng)電壓檢測(cè)線圈兩端壓降法. 最大信號(hào)檢測(cè)電壓±200V

寬溫度范圍恒溫箱掃描系統(tǒng)提供汽車車輛標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q200等級(jí)0兼容, 作業(yè)溫度范圍 -55oC ~ +180oC, 4個(gè)樣品測(cè)試 (SY-330)

全自動(dòng)恒溫箱掃描系統(tǒng)提供作業(yè)溫度范圍-30°C ~ +150°C和最多20/41個(gè)樣品測(cè)試 (SY-320A/SY-321A)

DC – 3MH, 最大電壓 ±150V, 最大電流 ±6A雙極性功率放大器 (SY-5001)

DC – 3MHz, 最大電壓 ±75V, 最大電流 ±6A 雙極性功率放大器 (SY-5002)

DC – 10MHz, 最大電壓 ±71V, 最大電流 ±1A 雙極性功率放大器 (HSA4101-IW)

小型片狀樣品磁特性測(cè)試臺(tái)樣品尺吋要求 (SY-956)

樣品的長(zhǎng)度必須是36mm以上

樣品的寬度必須是35mm以下

樣品的厚度必須是3mm以下

最大DC偏置電流30A, 最大AC波紋電流±6A 直流疊加測(cè)試臺(tái) (SY-960/961/962)


磁場(chǎng)信號(hào)檢測(cè) 無感應(yīng)電阻器兩端電壓降法最大容許電流±6A
磁通密度信號(hào)檢測(cè) 感應(yīng)電壓檢測(cè)線圈兩端電壓檢測(cè)法
最大容許電壓±200V
數(shù)字化儀 分辨率 16bits (8192points / cycle)
樣品連接方法 2繞線法或1繞線法
顯示方式 8.4 英寸 TFT-LCD SVGA 800×600 像素
電源 100V 至 240V50/60Hz 功耗約 130VA(MAX)
尺寸 (mm), 質(zhì)量 420W×266H×480D(不含突起部),主體約12.5kg
外部存儲(chǔ)器 USB(數(shù)據(jù)存儲(chǔ))
配件 POD 蓋、交流耦合模塊、功率放大器電纜 (BNC-BNC)、OSC 電纜 (BNC-SMA)、電源線、用戶指南、用戶手冊(cè) (CD)

AUX輸出
范圍 關(guān)閉,-40V - +40 V,按100mV分辨率變化
垂直軸
集電極電流 范圍 高電壓模式:1 μA/div - 2 A/div,共20個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5。
- 高電流模式:100 mA/div - 50 A/div,共9個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5。
高電流模式:100 mA/div - 100 A/div,共10個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5。

精度 2%讀數(shù) + 0.05 × VERT/div設(shè)置值或更低(下面的內(nèi)部環(huán)路校正錯(cuò)誤必須加至左邊的公式中。)
3 kV范圍:6 μA、300 V 范圍:1 μA, 30 V 范圍:0.5 μA(僅針對(duì)各電壓范圍面積的10%或以上。)
發(fā)射極電流(泄漏) 范圍 1 nA/div - 2 mA/div,共20個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5
精度 2%讀數(shù)+ 0.05 × VERT/div設(shè)置值 + 1 nA 或更低
水平軸
集電極電壓 范圍 高電壓模式:50 mV/div - 500 V/div,共13個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5
- 高電流模式:50 mV/div - 5 V/div,共7個(gè)范圍,切換步進(jìn)為1-2-5
精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設(shè)置值或更高
基極/發(fā)射極電壓 范圍 50 mV/div - 5 V/div,共7個(gè)范圍,步進(jìn)為1-2-5

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