薄膜電容器B32656S0105K566,EPCOS薄膜電容

2.5元2022-02-17 01:18:41
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  • TDK突波吸收電容
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薄膜電容器B32656S0105K566,EPCOS薄膜電容

電容器的頻率特性是廠家所關(guān)注的一項(xiàng)重要指標(biāo),它關(guān)系到一個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關(guān),選用不同的材料和方法所制造出來的電容器
產(chǎn)品性能的差異是巨大的,而電容器廠家會(huì)根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高,電容器的損耗加大,容量降低,耐壓下降。而我們
生產(chǎn)的薄膜電容器,在出售之前都會(huì)進(jìn)行頻率特性測(cè)試,下面介紹下我們的測(cè)試。

薄膜電容器工作頻率特性測(cè)試

1.選取一只聯(lián)接可調(diào)頻率電壓源上,將溫度傳感器堅(jiān)固電容器上。

2.打開可調(diào)頻率電壓源,調(diào)度至適合的電壓值,頻率調(diào)度至最低,并用存儲(chǔ)示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值,后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當(dāng)達(dá)到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值,直至達(dá)到電容器最高工作溫度,停
止測(cè)試。


薄膜電容有哪些用途?
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號(hào)傳輸
特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途:旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時(shí)、電路振蕩器

特性:(1)優(yōu)異的抗脈沖能力;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:專門設(shè)計(jì)用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性:
(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)
高容量穩(wěn)定性,采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封,電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號(hào)傳輸

特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)及其制作方法的詳細(xì)介紹

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)與制作方法

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要特性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣),而且介質(zhì)損失很小。

基于以上的優(yōu)點(diǎn),所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號(hào)交連的部分,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容器,方能確保信號(hào)在傳送時(shí),不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著,當(dāng)然這兩種電容器的價(jià)格也比較高。

然而音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來愈高級(jí),價(jià)格并非最重要的考量因素,所以PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材,號(hào)稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容,以做為在聲音品質(zhì)上的標(biāo)準(zhǔn),其道理就在此。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(Metallized Film),其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容器較容易做成小型,容量大的電容 器。

哪些外在因素會(huì)影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見原因

一、使用中出問題的原因
1.運(yùn)行電壓過高引起移相電容器過早淘汰,電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運(yùn)行電壓的平方成正比,運(yùn)行電壓的升高,使電容器溫度顯著增加,另外在長期電場(chǎng)的作用下,會(huì)加速電容器絕緣的老化

2.操作過電壓引起電容器的損壞,切斷并聯(lián)電容器組時(shí),可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓,切斷過程中,如果斷路器發(fā)生電弧重燃,將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩,出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值,與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān),也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破,任何額定電壓的電容器組,均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘,必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運(yùn)行溫度過高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過高,目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求,在我國許多地區(qū)難以滿足。因此,新型的低壓無功補(bǔ)償裝置,其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計(jì)。

2.戶外式電容器日光直接照射,移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時(shí),由于日光直接照射下,由于超溫運(yùn)行原因。年損壞率很高,有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中,散熱不良,夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí),也會(huì)集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運(yùn)行電流和輸出無功功率,大幅度地超過額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時(shí),可能產(chǎn)生諧波共振過電壓


四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時(shí),如果開關(guān)不重燃、開斷時(shí)不會(huì)產(chǎn)生過電壓。也不會(huì)產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個(gè)重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小,所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響,面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中,膜層之間存在微量的空氣,且較難完全消除。電容器工作時(shí),空氣在電場(chǎng)作用下,有可能被電離??諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧,臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體,常溫下自行分解為氧,是一種強(qiáng)氧化劑,低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層(成份為Zn/Al)遇到臭氧分解的氧后立即氧化,生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3,實(shí)際表現(xiàn)為板面積減小,電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣,可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時(shí),空氣的擊穿電位會(huì)降低,加快空氣電離,產(chǎn)生大量的臭氧,氧化金屬化薄膜的金屬鍍層,電容器的容量會(huì)迅速下降。

薄膜電容的重要性

一些還沒接觸薄膜電容的新手可能對(duì)薄膜電容這四個(gè)字會(huì)感到陌生,也不知道薄膜電容存存在什么樣的價(jià)值。但是對(duì)于電子設(shè)備和音響設(shè)備來說,薄膜電容是必不可缺少的一部分。目前像在遠(yuǎn)程通訊和自動(dòng)控制系列上來說薄膜電容有著一定的使用價(jià)值。作為專業(yè)的薄膜電容廠家,我們除了跟得上社會(huì)發(fā)展外,還要學(xué)會(huì)迎合設(shè)備的發(fā)展需求。

21世紀(jì)中,電子設(shè)備市場(chǎng)無疑是一個(gè)香餑餑,即便是一個(gè)小小的零件產(chǎn)品,也能夠在這個(gè)市場(chǎng)上發(fā)揮著關(guān)鍵性的作用,也會(huì)因?yàn)檫@個(gè)市場(chǎng)的發(fā)展,推動(dòng)產(chǎn)品的發(fā)展和地位固定,薄膜電容就是其中代表之一。耐性好,電壓穩(wěn)定,也使得薄膜電容的應(yīng)用市場(chǎng)廣泛,遍布在我們的生活周圍。薄膜電容的性價(jià)比上來說要更高一些,在優(yōu)點(diǎn)上也要更多一些。隨著社會(huì)的發(fā)展需求,漸漸的薄膜電容自然也就成為了眾多領(lǐng)域場(chǎng)合中的中心點(diǎn)。

或許我們單方面看薄膜電容好像并不覺得有什么存在價(jià)值,但是看看薄膜電容的使用領(lǐng)域和場(chǎng)合,我們就知道這其中的價(jià)值了。我們專業(yè)生產(chǎn)安規(guī)電容,高壓電容,壓敏電阻,薄膜電容,更多優(yōu)質(zhì)的電容盡在JEC。以上資訊來自智旭電子公司研發(fā)部,更多資訊請(qǐng)大家移步至網(wǎng)站中獲取。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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