MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563,TDK新能源汽車電容

2.5元2022-03-18 01:30:46
  • 北京友盛興業(yè)科技有限公司
  • TDK突波吸收電容
  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656G2224J000,薄膜電容器B32656S7474J565, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8155K566
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563,TDK新能源汽車電容

TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅(jiān)固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應(yīng)用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP(金屬化聚丙烯)Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比,新型電容器的額定工作電壓高達(dá)350VAC,電容值范圍為4.7nF至1.2μF,可在嚴(yán)苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認(rèn)證,并按照“高濕度條件下III 級耐久性測試B”分類。這些電容器在溫度為85℃,相對濕度為85%,工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進(jìn)行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測試,結(jié)果表明其電容量下降量不超過10%。新型電容器的最高工作溫度為110℃。

新型電容器獲得UL和EN認(rèn)證,且符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。不同型號的電容器的引腳間距會有不同,分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*),具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級符合UL94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的要求。

新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器(如光伏逆變器或車載濾波器),用于抑制電磁干擾。

主要應(yīng)用

惡劣環(huán)境條件下(如光伏逆變器或車載濾波器)的電磁干擾抑制應(yīng)用

主要特點(diǎn)和效益

額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍:4.7nF到1.2μF
通過UL和EN認(rèn)證


哪些外在因素會影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見原因

一、使用中出問題的原因
1.運(yùn)行電壓過高引起移相電容器過早淘汰,電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運(yùn)行電壓的平方成正比,運(yùn)行電壓的升高,使電容器溫度顯著增加,另外在長期電場的作用下,會加速電容器絕緣的老化

2.操作過電壓引起電容器的損壞,切斷并聯(lián)電容器組時(shí),可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓,切斷過程中,如果斷路器發(fā)生電弧重燃,將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩,出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值,與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān),也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破,任何額定電壓的電容器組,均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘,必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運(yùn)行溫度過高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過高,目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求,在我國許多地區(qū)難以滿足。因此,新型的低壓無功補(bǔ)償裝置,其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計(jì)。

2.戶外式電容器日光直接照射,移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時(shí),由于日光直接照射下,由于超溫運(yùn)行原因。年損壞率很高,有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中,散熱不良,夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí),也會集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運(yùn)行電流和輸出無功功率,大幅度地超過額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時(shí),可能產(chǎn)生諧波共振過電壓


四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時(shí),如果開關(guān)不重燃、開斷時(shí)不會產(chǎn)生過電壓。也不會產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個(gè)重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小,所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響,面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中,膜層之間存在微量的空氣,且較難完全消除。電容器工作時(shí),空氣在電場作用下,有可能被電離??諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧,臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體,常溫下自行分解為氧,是一種強(qiáng)氧化劑,低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層(成份為Zn/Al)遇到臭氧分解的氧后立即氧化,生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3,實(shí)際表現(xiàn)為板面積減小,電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣,可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時(shí),空氣的擊穿電位會降低,加快空氣電離,產(chǎn)生大量的臭氧,氧化金屬化薄膜的金屬鍍層,電容器的容量會迅速下降。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí) TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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