TDKTDK新能源汽車電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7274K601

2.5元2022-03-28 00:01:10
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  • TDK突波吸收電容
  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7125K562, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8255K562, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8255K563, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0105K565
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TDKTDK新能源汽車電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7274K601

薄膜電容的應(yīng)用空間有哪些?
人們只有選擇適合的產(chǎn)品才能滿足自身的使用需求,選擇薄膜電容也是如此的,
全方面的了解電容器的技術(shù)并及時(shí)確保產(chǎn)品的應(yīng)用的范圍才可以滿足產(chǎn)品的性能
性能是該產(chǎn)品主要的優(yōu)勢,在當(dāng)今的社會(huì)中,對于薄膜電容的使用需求是比較大
的,具有很大的發(fā)展空間
電容器是電子產(chǎn)業(yè)中重要的電子元件,在生產(chǎn)的過程中須與技術(shù)不斷的結(jié)合在
一起,有經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)可以提供更大的電容量以及更好的電器性能,這些產(chǎn)品的使
用與新的產(chǎn)品息息相關(guān)
良好性能的薄膜電容可以在遇到特殊環(huán)境的時(shí)候,依然保持高性能和高質(zhì)量,
保證了整個(gè)產(chǎn)品的持續(xù)使用
因此,薄膜電容在當(dāng)今的社會(huì)中,具有很大的發(fā)展空間,尤其是在科技發(fā)展如
此迅速的今天
在電容器發(fā)展的迅速的今天,不斷滿足人們使用需求,進(jìn)一步的達(dá)到理想的狀
態(tài),增進(jìn)了彼此之間的利益,給電容行業(yè)帶來更及時(shí)的滿足


TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路,尺寸僅為40 mm x 58 mm(深x長),額定電壓為直流350 V DC,電容值為65 μF。這意味著,這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度,可提供比同類競爭產(chǎn)品高出50%的電容量。此外,新電容器占用的印刷電路板 (PCB) 空間相對較小,且等效串聯(lián)電阻 (ESR) 僅為10 mΩ,紋波電流能力強(qiáng),達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料,均具備UL 94 V0的阻燃等級,工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計(jì),當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時(shí)會(huì)自動(dòng)跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波,如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波,一般直流應(yīng)用

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢

超緊湊尺寸:40 mm x 58 mm(深x長)

超高電容密度:0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 (ESR):僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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