原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢

? ? ? 原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個蒸汽前驅體源，當表層飽和時，化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表層的物理吸附?；驹訉映练e周期包括四個步驟:脈沖a、清洗a、脈沖B和清洗B..重復沉積循環(huán)，直到獲得所需的膜厚度，這是制造納米結構以形成納米器件的工具。

　　原子層沉積系統(tǒng)可以升級為簡單明了地使用等離子體，從而將等離子體和熱集成在同一個緊湊的設備中。開放式樣品裝載，集成等離子體技術。

　　原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢包括:

　　1.原子層沉積系統(tǒng)通過控制反應循環(huán)次數，可控制薄膜厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；

　　2.由于前驅體被化學吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜；

　　3.原子層沉積系統(tǒng)優(yōu)異的三維共形化學計量膜可作為納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；

　　4.原子層沉積系統(tǒng)可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；

　　5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行；

　　6.原子層沉積系統(tǒng)可廣泛應用于各種形狀的基材；

　　7.原子層沉積系統(tǒng)生長的金屬氧化物薄膜可用于柵電介質、電致發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質和微機電系統(tǒng)器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層。

　　原子層沉積系統(tǒng)敏感基板

　　遠程等離子體源可以在低溫下工作

　　過程開發(fā)和改進的實時監(jiān)控

　　原子層沉積系統(tǒng)實時監(jiān)測RTM原位診斷實現(xiàn)單ALD循環(huán)高分辨率。優(yōu)點是確定ALD范圍，減少加工時間和總生產成本。橢偏儀、QCM和質量管理系統(tǒng)的原位診斷也是我們原子層沉積系統(tǒng)優(yōu)勢。

　　簡單的空腔清理

　　定期清理反應室對于穩(wěn)定且可重復的原子層沉積系統(tǒng)過程至關重要。借助于用于清理原子層沉積系統(tǒng)的提升裝置，可以容易地打開反應室。

　　一體式手套箱

　　原子層沉積系統(tǒng)設備與各種供應商的手套箱兼容。

　　多腔集成

　　原子層沉積系統(tǒng)可以作為多腔系統(tǒng)的一個模塊。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以與蝕刻設備結合用于工業(yè)應用?？蛇x的多腔系統(tǒng)還具有盒到盒裝載的特色。

　　原子層沉積系統(tǒng)實現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強ALD薄膜多層結構的交替沉積。熱ALD和等離子體增強ALD可以通過同一反應室中的快門來切換。