晶體管和mos管區(qū)別是什么？

發(fā)布時(shí)間：2023-11-16 06:12:11 來源：互聯(lián)網(wǎng) 分類：電氣知識

文章摘要： mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即便兩端對調(diào)也不會影

mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即便兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。 ? ? 嚴(yán)厲意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體資料為根底的單一元件，包括各種半導(dǎo)體資料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。 ? ? 晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。