ITO膜的介紹

　　ITO膜除了具有較高的可見光透過率和電導率外，還具有其他優(yōu)異的性能，如紅外反射率高、對玻璃的附著力強、機械強度和化學穩(wěn)定性好、易于通過酸溶液濕法刻蝕工藝形成電極圖形等。廣泛應用于平板顯示器件、微波和射頻屏蔽器件、敏感器件、太陽能電池等領域。特別是近年來，液晶等平板顯示器件的興起，促進了ITO膜的研究和需求。

　　目前，DC磁控濺射是一種廣泛使用的ITO鍍膜方法，一般采用導電銦錫合金靶材。在濺射室抽真空后，應引入惰性氣體氬氣和反應氣體O2.濺射的基本過程:靶材是作為陰極濺射的材料，作為陽極的基片上施加幾千伏的電壓。系統(tǒng)預抽真空后，充入適當壓力的惰性氣體如Ar作為氣體放電的載體，少量O2作為反應氣體。總壓力一般在10-1 ~ 10 Pa范圍內。在正負電極之間的高壓作用下，電極之間的大量氣體原子會被電離，電離過程會將Ar原子電離成獨 立運動的Ar離子和電子，其中電子會飛向陽極，而帶正電的Ar離子會在高壓電場的加速下高速飛向陰極靶，在與靶的碰撞過程當中釋放能量。碰撞的結果之一是大量的靶表層原子獲得了相當高的能量，使得它們不受原晶格的約束而飛向基底，與高活性的O等離子體發(fā)生反應并沉積在基底上。

　　一般ITO膜在濺射后都需要熱處理。不同的成膜工藝有兩種方式。如果沉積膜是缺氧且不透明的銦錫氧化物膜，熱處理通常應該在氧化氣氛如氧氣氛或空氣中進行。反之，如果沉積的薄膜含氧較多，透明度較高，電導率較低，則應在真空或氮氫混合還原氣氛中進行。考慮到工業(yè)生產的要求，如避免銦錫合金靶材中毒、提高成膜速率、避免襯底溫度過高等，保持沉積的薄膜處于缺氧狀態(tài)是不錯的挑選。

　　該工藝適用于ITO膜的連續(xù)鍍膜，膜厚均勻，易于控制，膜的重復性和穩(wěn)定性好。適合連續(xù)生產，可用于大面積涂布。基底和靶的相互位置可以根據理想設計任意放置，可以在低溫下制備致密的薄膜。該工藝適合大規(guī)模工業(yè)化生產，是目前應用最廣泛的涂布方法。需要改進的是，這種工藝對設備的真空度要求更高。薄膜的光電性能對濺射參數的變化非常敏感，因此工藝難以調整，靶材利用率很低(約20%)。

　　射頻磁控濺射沉積利用射頻電源解決了DC磁控濺射沉積絕緣介質膜時的“液滴”和異常放電問題。利用絕緣銦錫陶瓷靶材沉積ITO薄膜，工藝調整相對簡單，制備的ITO薄膜成分與靶材基本相同，但陶瓷靶材制作復雜，價格昂貴。同時，射頻濺射的沉積速率低，襯底溫度高(對襯底要求高)，射頻電源效率低，設備復雜，射頻輻射對工人健康危害相當大。