TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7684J566

2.5元2022-02-15 01:18:39
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  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7105K566, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S1224K577, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0155K563,薄膜電容器B32656S7105K562
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TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7684J566

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容,聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容,兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭,而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下:

1. 在高頻條件下,CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下,CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小,在頻率為1kHz的條件下,一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001,而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好,優(yōu)于其他電容器,而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳,比如在容量小于0.33uF時,CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ,而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比,CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小,相同電壓,相同容量的情況下,
CL電容的體積可以做得比CBB電容小,這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳,但是價格更貴,因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容,光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同,推薦以下兩種方法供大家參考:

1. 測損耗值,若是小于0.001則為CBB電容,反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來進(jìn)行試驗,先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值,
然后用吹風(fēng)加熱電容器,再測電容值,若電容值變化過大,則為CL電容,反之為CBB電容。


薄膜電容器的優(yōu)點及其制作方法的詳細(xì)介紹

薄膜電容器的優(yōu)點與制作方法

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要特性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣),而且介質(zhì)損失很小。

基于以上的優(yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部分,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著,當(dāng)然這兩種電容器的價格也比較高。

然而音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來愈高級,價格并非最重要的考量因素,所以PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材,號稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容,以做為在聲音品質(zhì)上的標(biāo)準(zhǔn),其道理就在此。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(Metallized Film),其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容器較容易做成小型,容量大的電容 器。

薄膜電容器的濾波作用

薄膜電容器,也是一種音頻電容,經(jīng)常在各種音響、功放機(jī)、耳機(jī)、話筒等地方使用,這些電路中需要濾波電容,而使用聚酯膜的軸向薄膜電容可以使用在濾波電路中,因此備受音頻生產(chǎn)廠家的好評。那么薄膜電容器在濾波電路中起到什么作用呢?我們來了解一下。

濾波就是過濾信號中的特定波段頻率的操作,是抑制和防止干擾的有效手段。濾波電路就是允許一定頻率范圍的信號能夠正常無損的通過,同時阻止另一頻率范圍的信號通過。利用這種濾波電路可以提取出有用的信號,這種電路最開始運用在通信領(lǐng)域。薄膜電容之所以可以運用于這種電路中,是因為它在濾波電路中可以消除電壓中的脈動,吸收電壓的波峰,消除電壓的波谷。也就是上面所說的的:通過一定頻率范圍的信號,同時阻止一定頻率范圍的信號。

要注意的是,當(dāng)薄膜電容器使用在濾波電路中時,我們應(yīng)該注意到濾波電路中的紋波頻率是多少HZ,紋波電流是多少mA,直流電壓是多少V,交流電壓又是多少V,以確保選擇合適的薄膜電容運用到濾波電路中去。

哪些外在因素會影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見原因

一、使用中出問題的原因
1.運行電壓過高引起移相電容器過早淘汰,電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運行電壓的平方成正比,運行電壓的升高,使電容器溫度顯著增加,另外在長期電場的作用下,會加速電容器絕緣的老化

2.操作過電壓引起電容器的損壞,切斷并聯(lián)電容器組時,可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓,切斷過程中,如果斷路器發(fā)生電弧重燃,將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩,出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值,與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān),也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破,任何額定電壓的電容器組,均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘,必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運行溫度過高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過高,目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求,在我國許多地區(qū)難以滿足。因此,新型的低壓無功補(bǔ)償裝置,其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計。

2.戶外式電容器日光直接照射,移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時,由于日光直接照射下,由于超溫運行原因。年損壞率很高,有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中,散熱不良,夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時,也會集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運行電流和輸出無功功率,大幅度地超過額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時,可能產(chǎn)生諧波共振過電壓


四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時,如果開關(guān)不重燃、開斷時不會產(chǎn)生過電壓。也不會產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小,所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響,面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中,膜層之間存在微量的空氣,且較難完全消除。電容器工作時,空氣在電場作用下,有可能被電離??諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧,臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體,常溫下自行分解為氧,是一種強(qiáng)氧化劑,低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層(成份為Zn/Al)遇到臭氧分解的氧后立即氧化,生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3,實際表現(xiàn)為板面積減小,電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣,可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時,空氣的擊穿電位會降低,加快空氣電離,產(chǎn)生大量的臭氧,氧化金屬化薄膜的金屬鍍層,電容器的容量會迅速下降。

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路,尺寸僅為40 mm x 58 mm(深x長),額定電壓為直流350 V DC,電容值為65 μF。這意味著,這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度,可提供比同類競爭產(chǎn)品高出50%的電容量。此外,新電容器占用的印刷電路板 (PCB) 空間相對較小,且等效串聯(lián)電阻 (ESR) 僅為10 mΩ,紋波電流能力強(qiáng),達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料,均具備UL 94 V0的阻燃等級,工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計,當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時會自動跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波,如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波,一般直流應(yīng)用

主要特點與優(yōu)勢

超緊湊尺寸:40 mm x 58 mm(深x長)

超高電容密度:0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 (ESR):僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜電容器

`EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器是符合AEC-Q200D標(biāo)準(zhǔn)的器件,具有高脈沖強(qiáng)度和高接觸可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器采用堆疊薄膜技術(shù),引線間距為5mm至15mm。該電容器采用繞線電容器技術(shù),引線間距為10mm至37.0mm。應(yīng)用包括汽車用阻斷耦合和去耦合、旁路連接以及射頻干擾 (RFI) 保護(hù)。

特性:
高脈沖強(qiáng)度
高接觸可靠性
電容范圍:0.001~220uF
引線間距:5~37.5mm
電容容差:±5%,±10%,±20%

應(yīng)用:
汽車RFI,耦合,去耦等

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