制作精良晶閘管廠家5STP09D1801

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

制作精良晶閘管廠家5STP09D1801

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

可控硅產(chǎn)品性能特點：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)；
2、可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用；
3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個：陽，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管通態(tài)電流上升率：元件通態(tài)電流上升率的臨界重復值。其對應不重復測試值為重復值的以上，在使用過程中，必須保證元件導通期時候的電流上升率都不能超過其重復值；
晶閘管元件的選擇：
正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對保證整機設備的可靠性及降低設備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負載性質(zhì)等因素，在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟性。由于電力電子器件的應用領域十分廣泛，具體應用形式多種多樣。

晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路的條件下，允許重復加在陽—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復加在陽—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導通時管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時，元件能維持導通狀態(tài)所需的小陽電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導通所需的小控制電壓和電流。