MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2334J000

MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2334J000

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號(hào)上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開(kāi)頭，而聚丙烯膜電容以CBB開(kāi)頭。兩者都具有自
愈性與無(wú)感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時(shí)，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢(shì)在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對(duì)于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價(jià)格更貴，因此目前市場(chǎng)上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測(cè)很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測(cè)損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)，先把電容器放在電容表上測(cè)出冷態(tài)電容值，
然后用吹風(fēng)加熱電容器，再測(cè)電容值，若電容值變化過(guò)大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時(shí)、電路振蕩器

特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專門設(shè)計(jì)用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸

特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

薄膜電容的應(yīng)用空間有哪些？
人們只有選擇適合的產(chǎn)品才能滿足自身的使用需求，選擇薄膜電容也是如此的，
全方面的了解電容器的技術(shù)并及時(shí)確保產(chǎn)品的應(yīng)用的范圍才可以滿足產(chǎn)品的性能
性能是該產(chǎn)品主要的優(yōu)勢(shì)，在當(dāng)今的社會(huì)中，對(duì)于薄膜電容的使用需求是比較大
的，具有很大的發(fā)展空間
電容器是電子產(chǎn)業(yè)中重要的電子元件，在生產(chǎn)的過(guò)程中須與技術(shù)不斷的結(jié)合在
一起，有經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)可以提供更大的電容量以及更好的電器性能，這些產(chǎn)品的使
用與新的產(chǎn)品息息相關(guān)
良好性能的薄膜電容可以在遇到特殊環(huán)境的時(shí)候，依然保持高性能和高質(zhì)量，
保證了整個(gè)產(chǎn)品的持續(xù)使用
因此，薄膜電容在當(dāng)今的社會(huì)中，具有很大的發(fā)展空間，尤其是在科技發(fā)展如
此迅速的今天
在電容器發(fā)展的迅速的今天，不斷滿足人們使用需求，進(jìn)一步的達(dá)到理想的狀
態(tài)，增進(jìn)了彼此之間的利益，給電容行業(yè)帶來(lái)更及時(shí)的滿足

哪些外在因素會(huì)影響到薄膜電容器的性能

影響薄膜電容器的常見(jiàn)原因

一、使用中出問(wèn)題的原因
1.運(yùn)行電壓過(guò)高引起移相電容器過(guò)早淘汰，電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運(yùn)行電壓的平方成正比，運(yùn)行電壓的升高，使電容器溫度顯著增加，另外在長(zhǎng)期電場(chǎng)的作用下，會(huì)加速電容器絕緣的老化

2.操作過(guò)電壓引起電容器的損壞，切斷并聯(lián)電容器組時(shí)，可能引起電感一電容回路的振蕩過(guò)程。從而產(chǎn)生操作過(guò)電壓，切斷過(guò)程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過(guò)電壓值。這一過(guò)電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān)。

3.帶電荷合閘引起電容器的爆破，任何額定電壓的電容器組，均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘，必須于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)電容器放電3min后進(jìn)行。

二、運(yùn)行溫度過(guò)高造成移相電容器的損壞

1.環(huán)境溫度過(guò)高，目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過(guò)40‘C的要求，在我國(guó)許多地區(qū)難以滿足。因此，新型的低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置，其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計(jì)。

2.戶外式電容器日光直接照射，移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時(shí)，由于日光直接照射下，由于超溫運(yùn)行原因。年損壞率很高，有的可達(dá)10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中，散熱不良，夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí)，也會(huì)集中造成損壞。

3.通風(fēng)散熱不足

三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響


1.使電容器組的運(yùn)行電流和輸出無(wú)功功率，大幅度地超過(guò)額定值。

2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時(shí)，可能產(chǎn)生諧波共振過(guò)電壓


四、開(kāi)關(guān)設(shè)備性能的影晌

電容器在被切除時(shí)，如果開(kāi)關(guān)不重燃、開(kāi)斷時(shí)不會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。也不會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流。提高開(kāi)關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長(zhǎng)電容器使用壽命的一個(gè)重要方面。

影響薄膜電容器容量大小的原因

薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小，所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響，面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過(guò)程中，膜層之間存在微量的空氣，且較難完全消除。電容器工作時(shí)，空氣在電場(chǎng)作用下，有可能被電離?？諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧，臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體，常溫下自行分解為氧，是一種強(qiáng)氧化劑，低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層（成份為Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3，實(shí)際表現(xiàn)為板面積減小，電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣，可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時(shí)，空氣的擊穿電位會(huì)降低，加快空氣電離，產(chǎn)生大量的臭氧，氧化金屬化薄膜的金屬鍍層，電容器的容量會(huì)迅速下降。

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路，尺寸僅為40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)），額定電壓為直流350 V DC，電容值為65 μF。這意味著，這款訂貨號(hào)為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度，可提供比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高出50%的電容量。此外，新電容器占用的印刷電路板 （PCB） 空間相對(duì)較小，且等效串聯(lián)電阻 （ESR） 僅為10 mΩ，紋波電流能力強(qiáng)，達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹(shù)脂密封材料，均具備UL 94 V0的阻燃等級(jí)，工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計(jì)，當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時(shí)會(huì)自動(dòng)跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波，如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波，一般直流應(yīng)用

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

超緊湊尺寸：40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)）

超高電容密度：0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 （ESR）：僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開(kāi)發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過(guò)薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì)，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過(guò)這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。