MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7185K566,EPCOS薄膜電容

MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7185K566,EPCOS薄膜電容

電容器的頻率特性是廠家所關(guān)注的一項重要指標(biāo)，它關(guān)系到一個產(chǎn)品的設(shè)計成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關(guān)，選用不同的材料和方法所制造出來的電容器
產(chǎn)品性能的差異是巨大的，而電容器廠家會根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高，電容器的損耗加大，容量降低，耐壓下降。而我們
生產(chǎn)的薄膜電容器，在出售之前都會進(jìn)行頻率特性測試，下面介紹下我們的測試。

薄膜電容器工作頻率特性測試

1.選取一只聯(lián)接可調(diào)頻率電壓源上，將溫度傳感器堅固電容器上。

2.打開可調(diào)頻率電壓源，調(diào)度至適合的電壓值，頻率調(diào)度至最低，并用存儲示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值，后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當(dāng)達(dá)到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值，直至達(dá)到電容器最高工作溫度，停
止測試。

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價格更貴，因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來進(jìn)行試驗，先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值，
然后用吹風(fēng)加熱電容器，再測電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容的應(yīng)用空間有哪些？
人們只有選擇適合的產(chǎn)品才能滿足自身的使用需求，選擇薄膜電容也是如此的，
全方面的了解電容器的技術(shù)并及時確保產(chǎn)品的應(yīng)用的范圍才可以滿足產(chǎn)品的性能
性能是該產(chǎn)品主要的優(yōu)勢，在當(dāng)今的社會中，對于薄膜電容的使用需求是比較大
的，具有很大的發(fā)展空間
電容器是電子產(chǎn)業(yè)中重要的電子元件，在生產(chǎn)的過程中須與技術(shù)不斷的結(jié)合在
一起，有經(jīng)驗的技術(shù)可以提供更大的電容量以及更好的電器性能，這些產(chǎn)品的使
用與新的產(chǎn)品息息相關(guān)
良好性能的薄膜電容可以在遇到特殊環(huán)境的時候，依然保持高性能和高質(zhì)量，
保證了整個產(chǎn)品的持續(xù)使用
因此，薄膜電容在當(dāng)今的社會中，具有很大的發(fā)展空間，尤其是在科技發(fā)展如
此迅速的今天
在電容器發(fā)展的迅速的今天，不斷滿足人們使用需求，進(jìn)一步的達(dá)到理想的狀
態(tài)，增進(jìn)了彼此之間的利益，給電容行業(yè)帶來更及時的滿足

TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應(yīng)用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP（金屬化聚丙烯）Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比，新型電容器的額定工作電壓高達(dá)350VAC，電容值范圍為4.7nF至1.2μF，可在嚴(yán)苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認(rèn)證，并按照“高濕度條件下III 級耐久性測試B”分類。這些電容器在溫度為85℃，相對濕度為85％，工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進(jìn)行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測試，結(jié)果表明其電容量下降量不超過10％。新型電容器的最高工作溫度為110℃。

新型電容器獲得UL和EN認(rèn)證，且符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。不同型號的電容器的引腳間距會有不同，分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級符合UL94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的要求。

新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器（如光伏逆變器或車載濾波器），用于抑制電磁干擾。

主要應(yīng)用

惡劣環(huán)境條件下（如光伏逆變器或車載濾波器）的電磁干擾抑制應(yīng)用

主要特點和效益

額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍：4.7nF到1.2μF
通過UL和EN認(rèn)證

TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜電容器

`EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器是符合AEC-Q200D標(biāo)準(zhǔn)的器件，具有高脈沖強(qiáng)度和高接觸可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器采用堆疊薄膜技術(shù)，引線間距為5mm至15mm。該電容器采用繞線電容器技術(shù)，引線間距為10mm至37.0mm。應(yīng)用包括汽車用阻斷耦合和去耦合、旁路連接以及射頻干擾 (RFI) 保護(hù)。

特性：
高脈沖強(qiáng)度
高接觸可靠性
電容范圍：0.001~220uF
引線間距：5~37.5mm
電容容差：±5%，±10%，±20%

應(yīng)用：
汽車RFI，耦合，去耦等

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。