8OZ PCB板工廠

價格面議2022-06-28 00:02:53
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基材 層數(shù) 多面
絕緣層厚度 常規(guī)板 絕緣材料 有機樹脂
絕緣樹脂 環(huán)氧樹脂(EP) 阻燃特性 VO板

8OZ PCB板工廠

PCB電路板沉金與鍍金工藝的區(qū)別?
鍍金,一般指的是“電鍍金”、“電鍍鎳金”、“電解金”等,有軟金和硬金的區(qū)分(一般硬金是用于金手指的),原理是將鎳和金(俗稱金鹽)溶化于化學(xué)藥水中,將線路板浸在電鍍缸內(nèi)并接通電流而在電路板的銅箔面上生成鎳金鍍層,電鎳金因鍍層硬度高,耐磨損,不易氧化的優(yōu)點在電子產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。

沉金是通過化學(xué)氧化還原反應(yīng)的方法生成一層鍍層,一般厚度較厚,是化學(xué)鎳金金層沉積方法的一種,可以達到較厚的金層。
沉金與鍍金的區(qū)別:

1、沉金與鍍金所形成的晶體結(jié)構(gòu)不一樣,沉金對于金的厚度比鍍金要厚很多,沉金會呈金黃色,較鍍金來說更黃(這是區(qū)分鍍金和沉金的方法之一)。

2、沉金比鍍金更容易焊接,不會造成焊接不良。

3、沉金板的焊盤上只有鎳金,信號的趨膚效應(yīng)是在銅層上傳輸,不會對信號產(chǎn)生影響。

4、沉金比鍍金的晶體結(jié)構(gòu)更致密,不易產(chǎn)生氧化。

5、鍍金容易使金線短路。而沉金板的焊盤上只有鎳金,因此不會產(chǎn)生金線短路。

6、沉金板的焊盤上只有鎳金,因此導(dǎo)線電阻和銅層的結(jié)合更加牢固。

7、沉金板的平整性與使用壽命較鍍金板要好。


高精密度(HDI板)電路板的耐熱性介紹

HDI板的耐熱性能是HDI可靠性能中重要的一個項目,HDI板的板厚變得越來越薄,對其耐熱性能的要求也越來越高。無鉛化進程的推進,也提高了HDI板耐熱性能的要求,而且由于HDI板在層結(jié)構(gòu)等方面不同于普通多層通孔PCB板,因此HDI板的耐熱性能與普通多層通孔PCB板相比有所不同,一階HDI板典型結(jié)構(gòu)。HDI板的耐熱性能缺陷主要是爆板和分層。到目前為止,根據(jù)多種材料以及多款HDI板的耐熱性能測試的經(jīng)驗,發(fā)現(xiàn)HDI板發(fā)生爆板機率最大的區(qū)域是密集埋孔的上方以及大銅面的下方區(qū)域。

耐熱性是指PCB抵抗在焊接過程中產(chǎn)生的熱機械應(yīng)力的能力, PCB在耐熱性能測試中發(fā)生分層的機制一般包括以下幾種:

1) 測試樣品內(nèi)部不同材料在溫度變化時,膨脹和收縮性能不同而在樣品內(nèi)部產(chǎn)生內(nèi)部熱機械應(yīng)力,從而導(dǎo)致裂縫和分層的產(chǎn)生。

2) 測試樣品內(nèi)部的微小缺陷(包括空洞,微裂紋等),是熱機械應(yīng)力集中所在,起到應(yīng)力的放大器的作用。在樣品內(nèi)部應(yīng)力的作用下,更加容易導(dǎo)致裂縫或分層的產(chǎn)生。

3) 測試樣品中揮發(fā)性物質(zhì)(包括有機揮發(fā)成分和水),在高溫和劇烈溫度變化時,急劇膨脹產(chǎn)生巨大的內(nèi)部蒸汽壓力,當膨脹的蒸汽壓力到達測試樣品內(nèi)部的微小缺陷(包括空洞,微裂紋等)時,微小缺陷對應(yīng)的放大器作用就會導(dǎo)致分層。

HDI板容易在密集埋孔的上方發(fā)生分層,這是由于HDI板在埋孔分布區(qū)域特殊的結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的。有無埋孔區(qū)域的應(yīng)力分析如下表1。無埋孔區(qū)域(結(jié)構(gòu)1)在耐熱性能測試受熱膨脹時,在同一平面上各個位置的Z方向的膨脹量都是均勻的,因此不會存在由于結(jié)構(gòu)的差異造成的應(yīng)力集中區(qū)域。當區(qū)域中設(shè)計有埋孔且埋孔鉆在基材面上(結(jié)構(gòu)2)時,在埋孔與埋孔之間的A-A截面上,由于基材沒有收到埋孔在Z方向的約束,因而膨脹量較大,而在埋孔和焊盤所在的B-B截面上,由于基材受到埋孔在Z方向的約束,因而膨脹量較小,這三處膨脹量的差異,在埋孔焊盤與HDI介質(zhì)和塞孔樹脂交界處和附近區(qū)域造成應(yīng)力集中,從而比較容易形成裂縫和分層。

HDI板容易在外層大銅面的下方發(fā)生分層,這是由于在貼裝和焊接時,PCB受熱,揮發(fā)性物質(zhì)(包括有機揮發(fā)成分和水)急劇膨脹,外層大銅面阻擋了揮發(fā)性物質(zhì)(包括有機揮發(fā)成分和水)的及時逸出,因此產(chǎn)生巨大的內(nèi)部蒸汽壓力,當膨脹的蒸汽壓力到達測試樣品內(nèi)部的微小缺陷(包括空洞,微裂紋等)時,微小缺陷對應(yīng)的放大器作用就會導(dǎo)致分層。

超實用的高頻PCB電路設(shè)計70問答 之二
21.在電路板尺寸固定的情況下,如果設(shè)計中需要容納更多的功能,就往往需要提高 PCB 的走線密度,但是這樣有可能導(dǎo)致走線的相互干擾增強,同時走線過細也使阻抗無法降低,請專家介紹在高速(>100MHz)高密度 PCB 設(shè)計中的技巧?

在設(shè)計高速高密度 PCB 時,串擾(crosstalk interference)確實是要特別注意的,因為它對時序(timing)與信號完整性(signal integrity)有很大的影響。以下提供幾個注意的地方:

控制走線特性阻抗的連續(xù)與匹配。

走線間距的大小。一般??吹降拈g距為兩倍線寬??梢酝高^仿真來知道走線間距對時序及信號完整性的影響,找出可容忍的最小間距。不同芯片信號的結(jié)果可能不同。

選擇適當?shù)亩私臃绞健?br />
避免上下相鄰兩層的走線方向相同,甚至有走線正好上下重疊在一起,因為這種串擾比同層相鄰走線的情形還大。



利用盲埋孔(blind/buried via)來增加走線面積。但是 PCB 板的制作成本會增加。在實際執(zhí)行時確實很難達到完全平行與等長,不過還是要盡量做到。

除此以外,可以預(yù)留差分端接和共模端接,以緩和對時序與信號完整性的影響。

22.電路板 DEBUG 應(yīng)從那幾個方面著手?

就數(shù)字電路而言,首先先依序確定三件事情: 1. 確認所有電源值的大小均達到設(shè)計所需。有些多重電源的系統(tǒng)可能會要求某些電源之間起來的順序與快慢有某種規(guī)范。 2. 確認所有時鐘信號頻率都工作正常且信號邊緣上沒有非單調(diào)(non-monotonic)的問題。3. 確認 reset 信號是否達到規(guī)范要求。 這些都正常的話,芯片應(yīng)該要發(fā)出第一個周期(cycle)的信號。接下來依照系統(tǒng)運作原理與 bus protocol 來 debug。

23、濾波時選用電感,電容值的方法是什么?

電感值的選用除了考慮所想濾掉的噪聲頻率外,還要考慮瞬時電流的反應(yīng)能力。如 果 LC 的輸出端會有機會需要瞬間輸出大電流,則電感值太大會阻礙此大電流流經(jīng)此電感的速度,增加紋波噪聲(ripple noise)。電容值則和所能容忍的紋波噪聲規(guī)范值的大小有關(guān)。紋波噪聲值要求越小,電容值會較大。而電容的ESR/ESL 也會有影響。另外,如果這 LC 是放在開關(guān)式電源(switching regulation power)的輸出端時,還要注意此 LC 所產(chǎn)生的極點零點(pole/zero)對負反饋控制(negative feedback control)回路穩(wěn)定度的影響。

24、模擬電源處的濾波經(jīng)常是用 LC 電路。但是為什么有時 LC 比 RC 濾波效果差?

LC與 RC濾波效果的比較必須考慮所要濾掉的頻帶與電感值的選擇是否恰當。因為電感的感抗(reactance)大小與電感值和頻率有關(guān)。如果電源的噪聲頻率較低,而電感值又不夠大,這時濾波效果可能不如 RC。但是,使用 RC 濾波要付出的代價是電阻本身會耗能,效率較差,且要注意所選電阻能承受的功率。

25、如何盡可能的達到 EMC 要求,又不致造成太大的成本壓力?

PCB 板上會因 EMC 而增加的成本通常是因增加地層數(shù)目以增強屏蔽效應(yīng)及增加了 ferrite bead、choke等抑制高頻諧波器件的緣故。除此之外,通常還是需搭配其它機構(gòu)上的屏蔽結(jié)構(gòu)才能使整個系統(tǒng)通過 EMC的要求。以下僅就 PCB 板的設(shè)計技巧提供幾個降低電路產(chǎn)生的電磁輻射效應(yīng)。

盡可能選用信號斜率(slew rate)較慢的器件,以降低信號所產(chǎn)生的高頻成分。

注意高頻器件擺放的位置,不要太靠近對外的連接器。

注意高速信號的阻抗匹配,走線層及其回流電流路徑(return current path), 以減少高頻的反射與輻射。


在各器件的電源管腳放置足夠與適當?shù)娜ヱ詈想娙菀跃徍碗娫磳雍偷貙由系脑肼?。特別注意電容的頻率響應(yīng)與溫度的特性是否符合設(shè)計所需。



對外的連接器附近的地可與地層做適當分割,并將連接器的地就近接到 chassis ground。

可適當運用 ground guard/shunt traces 在一些特別高速的信號旁。但要注意 guard/shunt traces 對走線特性阻抗的影響。

電源層比地層內(nèi)縮 20H,H 為電源層與地層之間的距離。

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