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武漢行業(yè)市場(chǎng)網(wǎng)
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全武漢行業(yè)市場(chǎng)信息
共找到 1276 條信息-
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)面議2025-02-27 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應(yīng)用 ?納米材面議2025-02-27 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì): 1、多功能面議2025-02-27 -
功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀
普賽斯功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如面議2025-02-27 -
壓力傳感器測(cè)試儀
通常,壓力傳感器Ⅳ特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且,使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),對(duì)標(biāo)美國(guó)2400,B2901;可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行,提高測(cè)試效率;支持四象限工作,測(cè)量范圍廣,電壓高至300V,電流低至10pA;支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告;5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過(guò)矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí),通常在電容兩端施加直流偏壓,同時(shí)利用一個(gè)交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中,電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升,微電子工藝逐漸復(fù)雜,如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU,為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘,打造閉環(huán)解決方案,通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體高面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀
實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體??勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2025-02-27 -
電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量,然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS,使E為希望的電位值,這時(shí)使用萬(wàn)用表測(cè)量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27 -
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-02-27 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中,省錢省地,節(jié)約測(cè)試臺(tái)空間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體,普賽斯源表相對(duì)于進(jìn)口源表,測(cè)試范圍更廣,價(jià)格更便宜!最大輸出電壓達(dá)300V,最小測(cè)試電流達(dá)100pA,支持四象限工作;SXXB系列面議2025-02-27 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間;實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測(cè)試 功能: 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn): (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測(cè)試需要; (2)支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測(cè)試的系統(tǒng)解決方案; (3面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡?、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具,接線簡(jiǎn)單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡(jiǎn)化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備高電壓+大電流
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見(jiàn)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 輸入/輸出特性測(cè)試 針對(duì)1A以下的MOSFET器件,推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案,Z大電壓300V,Z大電流1A, 最小電流100pA,可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。 針對(duì)Z大電流為面議2025-02-27 -
三極管反向擊穿電壓測(cè)試SMU數(shù)字源表
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同,三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同,針對(duì)1A以面議2025-02-27 -
二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等,具有安全可靠等面議2025-02-27 -
憶阻器IV測(cè)試脈沖恒壓源CP系列
CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測(cè)量;支持多設(shè)備觸發(fā)實(shí)現(xiàn)器件的脈沖IV掃描等;支持輸出脈沖時(shí)序(如延遲、脈寬、周期等參數(shù)變量等)調(diào)節(jié),可輸出復(fù)雜曲線。主要特點(diǎn)有:面議2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2025-02-27 -
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測(cè)直流電流平臺(tái)
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測(cè)直流電流平臺(tái)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),具有大電流特性、極快的達(dá)到50A/us面議2025-02-27 -
射頻器件頻率特性測(cè)試SMU源表
GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。 頻率特性測(cè)試 射頻器件的頻率參數(shù)測(cè)試包含小信號(hào)S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測(cè)量。其中,S參數(shù)測(cè)試描述了RF器件在不同頻率下和對(duì)于信號(hào)的不同面議2025-02-27 -
16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)
16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn) 單抽屜最多支持16路8抽屜; 各通道互相獨(dú)立; 電流回讀,同步自動(dòng)測(cè)量電壓、光功率等數(shù)據(jù); 加熱膜加熱,溫控范圍:室溫~125℃; 電源抗浪涌設(shè)計(jì); 收光裝置水冷; 絕對(duì)精度±1℃,不同DUT溫度均勻性±2℃; 老化數(shù)據(jù)自動(dòng)記面議2025-02-27 -
數(shù)字源表如何選型
目前市場(chǎng)上數(shù)字源表琳瑯滿目,如何選擇適合自己、或性價(jià)比高的源表成為眾多買家比較頭疼的問(wèn)題,其實(shí)只要了解到以下參數(shù),就不難選型了: 1、源的輸出范圍 2、通道數(shù) 3、是否支持脈沖輸出 4、測(cè)量的精度 5、測(cè)量的速度(采樣率)等 確定了以上參數(shù)后,就面議2025-02-27 -
數(shù)字源表測(cè)試柔性電子材料
柔性電子又稱為塑料電子、印刷電子、有機(jī)電子、聚合體電子等,將有機(jī)或者無(wú)機(jī)材料電子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)。由于FPC柔性線路板及電子系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)彎曲、折疊、延展,且功能不會(huì)因此而受到影響,其獨(dú)特的柔性和延展性使得柔性電子在信息、面議2025-02-27 -
數(shù)字源表測(cè)LDO芯片電性能
LDO,全稱為“Low Dropout Regulator”,是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管(FET),從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器,LDO具有成本低,噪音低,靜態(tài)電流小的特點(diǎn),需面議2025-02-27
面議
2025-02-27
高電流脈沖電源測(cè)試電流傳感器響應(yīng)時(shí)間
高電流脈沖電源測(cè)試電流傳感器響應(yīng)時(shí)間認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六
;高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特
面議
2025-02-27
A400型數(shù)據(jù)采集卡
A400數(shù)據(jù)采集卡,是一款普賽斯自主設(shè)計(jì)開發(fā)的插卡式,支持可變速率采樣和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高精度數(shù)據(jù)采集卡。
采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可達(dá)16bits,最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道,且通道間隔離。采集卡可應(yīng)用于我司3插卡或10插卡主機(jī)上,單主機(jī)最高支
面議
2025-02-27
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量
面議
2025-02-27
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源
特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):
10ms級(jí)的上升沿和下降沿;
單臺(tái)最大3000V的輸出;
同步電流測(cè)量;
替代2657高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電
面議
2025-02-27
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):
單臺(tái)Z大3000V輸出;
單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;
10us的超快電流上升沿;
同步測(cè)量;
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試;詳詢一八一四零六六三四七六
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測(cè)量和分
面議
2025-02-27
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic,集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測(cè)量
I-V特性曲線掃描,C-
面議
2025-02-27
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