洪山儀器/儀表

洪山儀器/儀表信息

共找到 15 條信息
  • 半導體參數(shù)CV測試儀

    半導體參數(shù)CV測試儀

    半導體參數(shù)CV測試儀優(yōu)勢 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào)； 高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%； 內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能; 兼容IV測試：同時
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    2025-04-08
  • 霍爾延時響應(yīng)測試系統(tǒng)電流傳感器測試設(shè)備

    霍爾延時響應(yīng)測試系統(tǒng)電流傳感器測試設(shè)備

    產(chǎn)品簡介 霍爾延時響應(yīng)測試系統(tǒng)電流傳感器測試設(shè)備集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快
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    2025-04-08
  • 大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀

    大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀

    普賽斯大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率
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    2025-04-08
  • 半導體參數(shù)測試儀CV+IV曲線掃描儀

    半導體參數(shù)測試儀CV+IV曲線掃描儀

    SPA-6100半導體參數(shù)測試儀CV+IV曲線掃描儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研
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    2025-04-08
  • 晶體管iv圖示儀分立器件檢測儀

    晶體管iv圖示儀分立器件檢測儀

    晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，是一種半導體器件，放大器或電控開關(guān)常用；包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模
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    2025-04-08
  • KV級高壓電源3500V高壓程控電源

    KV級高壓電源3500V高壓程控電源

    E系列KV級高壓電源3500V高壓程控電源特點和優(yōu)勢： 十ms級的上升沿和下降沿； 單臺最大3500V的輸出； 0.1%測試精度； 同步電流或電壓測量； 支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充
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    2025-02-27
  • 二極管&led反向擊穿電壓測試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測試設(shè)備具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&
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    2025-02-27
  • pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表

    pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點： 多
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    2025-02-27
  • 電流階躍測試電源高電流脈沖源

    電流階躍測試電源高電流脈沖源

    電流階躍測試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)
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    2025-02-27
  • 直流3A半導體分立器件測試儀

    直流3A半導體分立器件測試儀

    通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時，又占用過多測試臺的空間；實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表
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    2025-02-27
  • 半導體分立器件測試設(shè)備高電壓+大電流

    半導體分立器件測試設(shè)備高電壓+大電流

    實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 利用數(shù)
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    2025-02-27
  • 場效應(yīng)MOS管特性曲線測試國產(chǎn)源表

    場效應(yīng)MOS管特性曲線測試國產(chǎn)源表

    使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。 輸入/輸出特性測試 針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系 列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。 針對Z大電流為
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    2025-02-27
  • 三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表

    三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表

    三極管是半導體基本元器件之一，設(shè)計電路中常常會關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同，針對1A以
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    2025-02-27
  • CTMS-1000A霍爾電流傳感器測直流電流平臺

    CTMS-1000A霍爾電流傳感器測直流電流平臺

    CTMS-1000A霍爾電流傳感器測直流電流平臺集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達到50A/us
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    2025-02-27
  • 射頻器件頻率特性測試SMU源表

    射頻器件頻率特性測試SMU源表

    GaNHEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。 頻率特性測試 射頻器件的頻率參數(shù)測試包含小信號S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測量。其中,S參數(shù)測試描述了RF器件在不同頻率下和對于信號的不同
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    2025-02-27
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