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uApA級國產(chǎn)電流源
uApA級國產(chǎn)電流源認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、面議2025-02-27 -
國產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢
國產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小,預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量,更準確的面議2025-02-27 -
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集,Y秀的性價比,良好的售后服務與技術(shù)支持,普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對標2400、2450、2611、2601B、2面議2025-02-27 -
寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估,一般包含靜態(tài)參數(shù)測試(I-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。靜態(tài)參數(shù),也被稱作直流參數(shù),是用來評估半導體器件性能的基礎測試,也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs(th)為例,其值的大小對研發(fā)人員設計器面議2025-02-27 -
半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)
普賽斯半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電面議2025-02-27 -
光電二極管性能測試精密源表
光電探測器光電測試 光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關(guān)面議2025-02-27 -
半導體器件測試儀IV曲線儀
半導體器件測試儀IV曲線儀認準普賽斯儀表,詳詢18140663476;普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案? S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、多功能面議2025-02-27 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%面議2025-02-27 -
功率半導體測試平臺功率器件測試設備
普賽斯功率半導體測試平臺功率器件測試設備特點和優(yōu)勢: 單臺Z大3500V輸出; 單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A; 15us的超快電流上升沿; 同步測量; 國標全指標的自動化測試; 可定制夾具; nA級電流和uΩ級電阻測量; 測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電面議2025-02-27 -
半導體芯片測試設備IV曲線掃描儀器
眾所周知,半導體芯片測試設備IV曲線掃描儀器應用的專業(yè)領(lǐng)域十分廣泛,分別有:微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學與工程、材料與能源、電子科學與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學測量的常用儀器,在高校和研究所的相關(guān)實驗室內(nèi)幾面議2025-02-27 -
電參數(shù)測量多合一數(shù)字源表
分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件(DUT)施加電壓或電流,然后測試其對激勵做出的響應,通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,又占用過多測面議2025-02-27 -
igbt模塊測試設備功率器件測試儀
普賽斯igbt模塊測試設備功率器件測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如面議2025-02-27 -
pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表認準普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六; 源表特點: 多面議2025-02-27 -
半導體分立器件測試設備參數(shù)分析源表
半導體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導體元器件,用于電力電子設備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中,是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一,在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計算機及周邊設備、網(wǎng)絡通訊等眾多國民經(jīng)濟領(lǐng)域均有廣面議2025-02-27 -
電流階躍測試電源高電流脈沖源
電流階躍測試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設備可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設面議2025-02-27 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應用 ?納米材面議2025-02-27 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、多功能面議2025-02-27 -
功率模塊igbt測試設備igbt測試儀
普賽斯功率模塊igbt測試設備igbt測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如面議2025-02-27 -
壓力傳感器測試儀
通常,壓力傳感器Ⅳ特性測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。而且,使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的面議2025-02-27 -
半導體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表
半導體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),對標美國2400,B2901;可實現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測量同步進行,提高測試效率;支持四象限工作,測量范圍廣,電壓高至300V,電流低至10pA;支持USB存儲,一鍵導出數(shù)據(jù)報告;5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺
系統(tǒng)方案 普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。 進行 C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學實驗平臺
在半導體材料和器件的研究中,電性能測試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導體技術(shù)的提升,微電子工藝逐漸復雜,如何對微電子材料器件進行高效率測試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU,為進一步打通測試融合壁壘,打造閉環(huán)解決方案,通過對半導體高面議2025-02-27 -
半導體性能檢測設備iv曲線測試儀
實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、率先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體??勺鳛楠毩⒌暮銐涸椿蚝懔髟础⒎赜?、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2025-02-27 -
電化學實驗循環(huán)伏安測試儀
電化學電池的三個電極是工作電極 (WE)、基準電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測量,然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS,使E為希望的電位值,這時使用萬用表測量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27 -
功率半導體參數(shù)測試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導體參數(shù)測試儀3500V/1000A,主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設面議2025-02-27 -
半導體器件參數(shù)測試儀半導體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導體器件參數(shù)測試儀半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿面議2025-02-27 -
半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀+功率器件測試設備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-02-27 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導體器件特性測試中,省錢省地,節(jié)約測試臺空間,同時實現(xiàn)了大動態(tài)測試范圍,集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體,普賽斯源表相對于進口源表,測試范圍更廣,價格更便宜!最大輸出電壓達300V,最小測試電流達100pA,支持四象限工作;SXXB系列面議2025-02-27 -
直流3A半導體分立器件測試儀
通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,又占用過多測試臺的空間;實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡述: 作用: 主要應用于VCSEL激光器、大功率LED的測試 功能: 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點: (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測試需要; (2)支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測試的系統(tǒng)解決方案; (3面議2025-02-27 -
半導體IV特性曲線分析儀
半導體IV特性曲線分析儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡摺⑵骷y試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具,接線簡單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡化半導體分立器件特性參數(shù)測試面議2025-02-27 -
半導體分立器件測試設備高電壓+大電流
實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場效應MOS管特性曲線測試國產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。 輸入/輸出特性測試 針對1A以下的MOSFET器件,推薦2臺S系 列源表搭建測試方案,Z大電壓300V,Z大電流1A, 最小電流100pA,可以滿足小功率MOSFET測試的需求。 針對Z大電流為面議2025-02-27 -
三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表
三極管是半導體基本元器件之一,設計電路中常常會關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同,三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同,針對1A以面議2025-02-27 -
二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等,具有安全可靠等面議2025-02-27
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