全武漢儀器/儀表信息
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E系列功率器件功能高壓測試模塊
武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。 未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)面議2025-04-08 -
精密國產(chǎn)電流源高精度IV曲線測試掃描儀
精密國產(chǎn)電流源高精度IV曲線測試掃描儀優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源，并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2025-04-08 -
旁路二極管熱性能測試脈沖電流源
熱斑效應：太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當作負載消耗其他有光照的太陽電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽能電池板正負極兩端之間的二極管，面議2025-04-08 -
apd暗電流測試數(shù)字源表
在APD的光電特性中，暗電流是一個重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測試的準確性對于評估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進行APD暗電流測試時，通常面臨如下挑戰(zhàn)：測試環(huán)境影響、連接面議2025-04-08 -
晶體管iv圖示儀分立器件檢測儀
晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，是一種半導體器件，放大器或電控開關(guān)常用；包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模面議2025-04-08 -
二三極管iv測試儀iv曲線掃描儀
半導體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導體為基材時,半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導體為基材時,半導體分立器件主要包括:SiC.GaN半導體功率器件。面議2025-04-08 -
高電壓大電流功率器件測試機
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-04-08 -
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實時測試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應靈敏; 在低電壓下進行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測量，測試設備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機實時顯示各不同壓敏電阻R/t曲線，并可記錄存檔。 S系列源表+上位機軟件面議2025-04-08 -
1200V半導體分析儀替代4200
SPA-6100型1200V半導體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、面議2025-04-08 -
DC參數(shù)測試iv掃描源表
芯片測試作為芯片設計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測，區(qū)別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）面議2025-04-08 -
功率mos測試脈沖源表30A數(shù)字源表
PXOOB系列功率mos測試脈沖源表30A數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達30A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源面議2025-04-08 -
分立器件檢測儀iv+cv測試儀
SPA-6100分立器件檢測儀iv+cv測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半面議2025-04-08 -
高電壓大電流-半導體功率測試設備
PMST系列高電壓大電流-半導體功率測試設備是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB面議2025-04-08 -
SMU數(shù)字源表搭建場效應晶體管IV特性測試實驗平臺
本科生微電子器件及材料實驗目錄 實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗 實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗 實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗 實驗四：半導體霍爾效應測試實驗 實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗 實驗六：太陽能電面議2025-04-08 -
CV測試系統(tǒng)_CV測試儀_提供0V~3500V偏壓范圍
CV測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上，內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;詳面議2025-04-08 -
電流-導通電壓掃描測試脈沖電源300A大電流源
普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。單臺輸出電流300A，支持至少六臺以上多設備并聯(lián)測量。設備主要針對晶圓測試，可用于300A面議2025-04-08 -
8000V半導體測試高壓程控電源
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(8000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~8000V，輸出及測量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測面議2025-04-08 -
電流響應時間測試脈沖電源
普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。 設備可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設面議2025-04-08 -
IC電氣特性測試數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
GaN SiC三代半功率器件測試設備
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬面議2025-04-08 -
柔性傳感器電性能測試VI源表
普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)知名廠商共同打造的柔性電子材料測試系統(tǒng),通過組合不同動作的測試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測試動作, 11個基礎模擬測試動作,實現(xiàn)一機多用,讓柔性測試標準化。不僅可以測試柔性材料的折、彎、扭、拉、卷等五種基本動作,而且可以進行柔性材面議2025-04-08 -
半導體分立器件電性能iv測試系統(tǒng)
半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占面議2025-04-08 -
電流脈沖電源1μs窄脈寬
PL系列窄脈沖LV測試系統(tǒng)是為大功率激光器LV測試而研制的，大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時發(fā)熱嚴重，而激光器特性受溫度影響非常大，直流或?qū)捗}沖下的測試結(jié)果并不能反映器件特性。 PL系列產(chǎn)品具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光峰值功率檢測、支持激面議2025-04-08 -
IC芯片電特性測試數(shù)字源表
IC芯片電特性測試數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術(shù)支持，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對標2400、2450、2611、2601B、2651面議2025-04-08 -
wat半導體參數(shù)測試設備_晶圓片檢測儀
SPA-6100wat半導體參數(shù)測試設備_晶圓片檢測儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材面議2025-04-08 -
igbt靜態(tài)性能測試設備
普賽斯igbt靜態(tài)性能測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測試項目 集面議2025-04-08 -
晶圓/芯片微弱電流測試VI源表
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測試VI源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術(shù)支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應用 分立器件特性測試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、面議2025-04-08 -
脈沖IV特性測試數(shù)字源表
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達30A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者面議2025-04-08 -
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢： IV、CV一鍵測；一體機，支持遠程指令控制；支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試；詳詢一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力； 測量精度高,全量程下可面議2025-04-08 -
國產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀
國產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列源表標準的SCPI指令集，U秀的性價比，良好的售后服務與技術(shù)支持，詳詢一八一四零六六三四七六 數(shù)字源表基本功能 集多種功能為一體的精密測量儀器，主要是測量電氣性能 SMU可以當電源,面議2025-04-08 -
大功率分立器件測試設備靜態(tài)參數(shù)分析儀
普賽斯分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準面議2025-04-08 -
高精度國產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表
產(chǎn)品簡介 DPX00B雙通道高精度臺式脈沖源表是在單通道脈沖臺式源表基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，單通道最大輸出電壓達300V，最大脈沖輸出電流達30A，支持四象限工作，2個通道可獨立或組合工作。 DPX00B雙面議2025-04-08 -
led漏電流測試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試，可以獲得對應正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測試電流，或者加電流測試電壓面議2025-02-27 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源，并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2025-02-27 -
GaN HEMT器件特性測試儀
GaN HEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。GaN HEMT器件特性測試儀就找普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓面議2025-02-27 -
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁面議2025-02-27
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